对于电脑内存，可能大家都觉得内存影响不到游戏帧数，但这其实是非常片面的。举个例子，在玩绝地求生时，按下TAB键会卡顿或者游戏忽然掉帧，那就是内存不足导致的。下面就让小编带你去看看内存实用基础大全，希望能帮助到大家!
又到了学点内存知识的季节
什么是DDR?
DDR，全称：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random AccessMemary，即，双数据速率同步动态随机存取记忆体，也就是我们常用的内存，它从SDRAM的基础上发展起来，以后依次出现了DDR SDRAM、DDR2SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它们的能效不断提升。文章结尾附一张纯良心内存能效参数表。
DDR间有什么区别?
1、SDRAM
SDRAM内部组成如，可见其组成可以分为几个部分，存储阵列、IO门控单元、行列地址解码器、行列地址锁存器、逻辑控制单元(包含模式寄存器)、数据输入输出寄存器等。
存储矩阵内部结构，以8位内存单元为例，每个内存单元的数据输出是并联在一起，通过行列地址线选中一个存储单元，
存储容量大小和数据位宽度、行地址、列地址、块数量等的关系：
单片容量(bit)=单片位宽×行数×列数×块数量
2、DDR
SDRAMDDR的内部结构与SDRAM相比，数据读写部分改进比较大。其一，使用了两位预读取的技术;其二，增加了DLL(delay lockloop演示锁定回路);其三，增加了数据掩码控制和数据总线反转控制;此外，时钟信号和数据选通信号改为差分信号。
3、DDR2
SDRAMDDR2 SDRAM整体布局变化不大，在输入输出数据总线接口上变化比较多。
DDR2在DDR的基础上增加了ODT(on-dietermination片上终结，即通过内部逻辑选择合适的终端电阻进行匹配)功能，预读取提高到了4位，即每传输4个字节/字，只有第一个字节/字有潜伏期。
4、DDR3
SDRAMDDR3 SDRAM在输入输出数据总线接口上继续提升性能，在存储结构上改进工艺，堆叠更多的存储块，提高单颗芯片的容量。
在功能上的改进有，增加了读写平衡功能。
5、DDR4
SDRAMDDR4SDRAM在输入输出数据总线接口上继续改善性能，在存储结构上继续改进工艺，不仅堆叠更多的存储块，而且使用硅片穿孔工艺把把堆叠成的存储块进行并列放置，集中到一颗芯片中，提高单颗芯片的容量。
内存的一些简单入门知识
首先是大家都知道的，也是百度百科的资料，内存是什么?
内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的工作效率大打折扣!为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”——内存。
内存的特点是存储速度快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如QQ、浏览器、游戏，包括WINDOWS系统，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架或书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公室就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存在外存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
内存的发展历史
内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
而我们平时所说的“内存条”则隶属于DRAM类别下的SDRAM家族。
第一代 SDR SDRAM
第二代 DDR SDRAM
第三代 DDR2 SDRAM
第四代 DDR3 SDRAM
第五代DDR4 SDRAM
我们现在常用的DDR4就是第五代内存了!
关于内存频率、时序还有电压的一些解释
所谓内存频率，就是我们经常说的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，后面这些数字就是内存频率。
一般情况下，内存频率的高低，决定了内存性能的强弱。内存频率越高，内存带宽也就越高，正常工作的速度会更快。
关于内存时序，也就是我们在CPU-Z里面所看到的数字了。
内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。这些参数设置的越小，内存处理数据越快，但是也越不稳定;反之较慢，但是稳定性提高，因此需要设置合适的内存时序。一般DDR42133的内存默认时序是15-15-15-35…
关于内存电压，每代内存电压都是有一个标准范围的。比如我们现在用的DDR4内存电压默认为1.2V，超频也最好不要超过1.5V;而DDR3的内存则是从1.5-2.0V;DDR2则是2V起步。
现在内存所支持的XMP是什么?
Intel XMP全名是Extreme Memory Profile，是针对DDR3模块而推出的一项认证。
其主要功能就是高阶的内存设定，内存厂商除了会在内存预设普通的SPD值外，另外亦会写入更为高速的设定。当然，厂商们可以任意替旗下的内存模块写进更加高速的设定，但这样就没有任何稳定性的保证及标准，所以业界便引入XMP设计。
XMP会在内存地址176-254中记录内存的速度，而最多可以保存2组的设定值。厂商们如需要得到XMP的认证，就必须把内存及该设定送交Intel测试，通过后就会给予认证。Intel推出这个标准，其主要用意是针对高效能市场，玩家使用具备了XMP的内存，就能够直接提升工作平台的效能。
内存时序和频率的一些问题?
这时候我们就需要举个例子了，以宇瞻黑豹DDR4 2400的内存和影驰名人堂HOF DDR4 2400内存来对比。
延迟对比：
宇瞻黑豹DDR4 2400 16-16-16-36 CL16 延迟计算 (1/2400MHz)__16=6.67纳秒
宇瞻黑豹DDR4 2133 15-15-15-35 CL15 延迟计算 (1/2400MHz)__15=6.25纳秒
然后计算带宽(按照双通道计算，内存带宽128bit)：
2400 ： 2400MHz__128bit/8= 38400MB/S
2133 ： 2133MHz__128bit/8= 34128MB/S
内存延迟意味着内存的反应速度。我们知道，CPU读写内存的事情，首先是要告诉内存，要读写某个地址的数据，意味着CPU要先发送某个地址代码给内存，内存接收到后，编译准备好的这段时间为内存延迟时间。
当内存准备好了数据反馈给CPU，CPU开始读写内存，这时候，内存的带宽是主要作用，一直到数据传输完成，然后重复上一步操作，这就是内存和CPU的工作原理(简单通俗的讲，实际比这个复杂多了)
所以我们可以分两种情况，当CPU读写内存数据量很大，而且是连续的时候，内存带宽影响最大;当CPU读写的内存数据非常零碎，且零碎数据很多，这时候的低延迟的内存速度回更快。
这也解释了核显对于双通道高频内存的需求，图形数据一般都是大量并且连续的，AMD的APU需要高频双内存的原理，就是这么来的。
关于内存超频的一些问题
内存超频跟内存颗粒的体制是肯定有最为直接的关系的。然后还有就是主板bios的设计、主板bios的优化水平，CPU集成的内存控制器等等原因，都是有影响的!
我们所看到某些支持XMP内存和主板，在某种程度上，可以认为是厂商预先保留的超频选择，直接在bios开启即实现超频。
当然，我们普通的内存一样是可以超频的，具体要看实际平台和内存等等来操作，基本原理也就是时序、频率和电压了，每个人的情况都不一样，需要自己去调试才行。
好了，今天的每日一荐到此结束，临时洋洋洒洒写了1900个字，明天还不知道写啥，希望大家给我一些建议和提示!
内存知识详解：接口类型
接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数(Pin)。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin 接口;台式机内存则基本使用 168Pin 和184Pin接口。对应于内存所采用的不同针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前，台式机系统主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM 和 DIMM 插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
1、金手指
金手指(connectingfinger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。从上个世纪90年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存的金手指
内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC系统进行交换，是内存的输出输入端口。因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。
2、内存插槽
最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，双列直插式封装)封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。
内存插槽
早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了 DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。此种方法付出的代价较大，也极为不便。
对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块(Single Inline MemoryModule，SIMM)或双列直插内存模块(Dual Inline MemoryModule，DIMM)来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
3、内存模块
1) SIMM
SIMM(Single Inline MemoryModule，单列直插内存模块)。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最七年级次只能传输 8bif 数据，后来逐渐发展出16bit、32bit 的 SIMM 模组。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的则使用72pin接口。在内存发展进入 SDRAM 时代后，SIMM 逐渐被 DIMM 技术取代。
2) DIMM
DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)。与 SIMM 相当类似，不同的只是 DIMM 的金手指两端，不像SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号。因此，可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用 DIMM，SDRAM 的接口与 DDR内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM 为 168Pin DIMM 结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;
DDR DIMM则采用 184Pin DIMM 结构，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2DIMM 为240pinDIMM 结构，金手指每面有 120Pin，与 DDR DIMM 一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与 DDR DIMM稍微有一些不同。因此，DDR 内存是插不进 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 内存也是插不进 DDR DIMM 的。因此，在一些同时具有 DDR DIMM和 DDR2 DIMM 的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚 DIMM 接口对比。为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMMModule)也开发了出来，它的尺寸比标准的 DIMM 要小很多，而且引脚数也不相同。同样 SO-DIMM 也根据 SDRAM 和 DDR内存规格不同而不同。SDRAM 的 SO-DIMM 只有 144pin引脚，而DDR 的 SO-DIMM 拥有 200pin 引脚。此外，笔记本内存还有MicroDIMM 和 Mini Registered DIMM 两种接口。MicroDIMM 接口的DDR 为 172pin，DDR2 为214pin;Mini Registered DIMM 接口为 244pin，主要用于 DDR2 内存。
3) RIMM
RIMM(Rambus Inline Memory Module)是 Rambus 公司生产的 RDRAM 内存所采用的接口类型。RIMM 内存与DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM 有也 184 Pin 的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有16 位数据宽度，ECC 版则都是 18 位宽。由于 RDRAM 内存较高的价格，此类内存在 DIY 市场很少见到，RIMM 接口也就难得一见了。